JPY | USD
お気に入り

IRF1010EPBF Nチャンネル 60V 84A(Tc) 200W(Tc) スルーホール TO-220AB
価格と調達
3,983 個在庫あり
即日出荷可能
 

注:ご記入は半角英数字にてお願いします。

数量
すべての価格はJPYです。
数量 単価 金額
1 160.00000 ¥160
10 143.50000 ¥1,435
25 136.16000 ¥3,404
100 102.12000 ¥10,212
250 101.14400 ¥25,286
500 86.55600 ¥43,278
1,000 70.50800 ¥70,508
2,500 69.53600 ¥173,840
5,000 63.21440 ¥316,072

表示よりも数量の多い 価格見積依頼を 提出

IRF1010EPBF

データシート
Digi-Key品番 IRF1010EPBF-ND
コピー  
仕入先

コピー  
メーカー品番 IRF1010EPBF
コピー  
商品概要 MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
コピー  
メーカーの標準リードタイム 15週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 60V 84A(Tc) 200W(Tc) スルーホール TO-220AB

コピー  
ドキュメントとメディア
データシート IRF1010EPbF
その他の関連資料 IR Part Numbering System
製品トレーニングモジュール High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019
PCNアセンブリ/原産地 Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCNパッケージング Packing Material Update 16/Sep/2016
HTMLデータシート IRF1010EPbF
シミュレーションモデル IRF1010EPBF Saber Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ HEXFET®
梱包形態 チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 84A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 12ミリオーム @ 50A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 130nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 3210pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 200W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
実装タイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
よく一緒に購入されている製品
また次もご覧下さい

IRF3205PBF

MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB

Infineon Technologies

¥142.00000 詳細

IRF640NPBF

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

Infineon Technologies

¥119.00000 詳細

IRF2807PBF

MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB

Infineon Technologies

¥169.00000 詳細

2SA1943N(S1,E,S)

TRANS PNP 230V 15A TO-3PN

Toshiba Semiconductor and Storage

¥271.00000 詳細

IRF540NPBF

MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB

Infineon Technologies

¥111.00000 詳細

IRF3415PBF

MOSFET N-CH 150V 43A TO-220AB

Infineon Technologies

¥190.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 50
その他の製品名/品番 *IRF1010EPBF
SP001569818