JPY | USD
お気に入り

IRF100P218XKMA1 Nチャンネル 100V 209A(Tc) 556W(Tc) スルーホール TO-247AC
価格と調達
314 個在庫あり
即日出荷可能
 

注:ご記入は半角英数字にてお願いします。

数量
すべての価格はJPYです。
数量 単価 金額
1 872.00000 ¥872
10 788.10000 ¥7,881
25 751.36000 ¥18,784
100 623.09000 ¥62,309
250 586.44000 ¥146,610
500 549.78800 ¥274,894
1,000 494.80900 ¥494,809

表示よりも数量の多い 価格見積依頼を 提出

IRF100P218XKMA1

データシート
Digi-Key品番 IRF100P218XKMA1-ND
コピー  
仕入先

コピー  
メーカー品番 IRF100P218XKMA1
コピー  
商品概要 TRENCH_MOSFETS
コピー  
メーカーの標準リードタイム 18週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 209A(Tc) 556W(Tc) スルーホール TO-247AC

コピー  
ドキュメントとメディア
データシート RF100P218
IRF100P218
その他の関連資料 IR Part Numbering System
PCNパッケージング Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020
EDA/CADモデル IRF100P218XKMA1 by SnapEDA
シミュレーションモデル IRF100P218 Saber File
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ StrongIRFET™
梱包形態 チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 209A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 1.28ミリオーム @ 100A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3.8V @ 278µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 555nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 25000pF @ 50V
FET機能 -
消費電力(最大) 556W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
実装タイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AC
パッケージ/ケース TO-247-3
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

IRF100B201

MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB

Infineon Technologies

¥302.00000 詳細

IAUT300N10S5N015ATMA1

100V 300A 1.5MOHM TOLL

Infineon Technologies

¥830.00000 詳細

VMO1200-01F

MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI

IXYS

¥14,269.00000 詳細

CSD19535KCS

MOSFET N-CH 100V TO-220

Texas Instruments

¥375.00000 詳細

APTM10UM01FAG

MOSFET N-CH 100V 860A SP6

Microsemi Corporation

¥26,530.00000 詳細

IXFN360N10T

MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

IXYS

¥2,346.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 25
その他の製品名/品番 SP001619550