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IPP200N25N3GXKSA1 Nチャンネル 250V 64A(Tc) 300W(Tc) スルーホール PG-TO220-3
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数量 単価 金額
1 756.00000 ¥756
10 683.60000 ¥6,836
25 651.88000 ¥16,297
100 540.58000 ¥54,058
250 508.78000 ¥127,195
500 476.98200 ¥238,491
1,000 429.28300 ¥429,283
2,500 413.38360 ¥1,033,459
5,000 391.12440 ¥1,955,622

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IPP200N25N3GXKSA1

データシート
Digi-Key品番 IPP200N25N3GXKSA1-ND
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仕入先

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メーカー品番 IPP200N25N3GXKSA1
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商品概要 MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
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メーカーの標準リードタイム 13週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 250V 64A(Tc) 300W(Tc) スルーホール PG-TO220-3

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ドキュメントとメディア
データシート IPx200N25N3 G
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
シミュレーションモデル OptiMOS™ Power MOSFET 250V N-Channel Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
梱包形態 チューブ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 250V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 64A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 20ミリオーム @ 64A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 270µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 86nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 7100pF @ 100V
FET機能 -
消費電力(最大) 300W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
実装タイプ スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 50
その他の製品名/品番 IPP200N25N3 G
IPP200N25N3 G-ND
IPP200N25N3G
SP000677894