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IPD650P06NMATMA1 Pチャンネル 60V 22A(Tc) 83W(Tc) 面実装 PG-TO252-3-313
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1 222.00000 ¥222
10 198.10000 ¥1,981
25 188.00000 ¥4,700
100 154.41000 ¥15,441
500 127.55600 ¥63,778
1,000 111.89100 ¥111,891

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IPD650P06NMATMA1

データシート
Digi-Key品番 448-IPD650P06NMATMA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IPD650P06NMATMA1
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商品概要 MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
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商品概要の詳細

Pチャンネル 60V 22A(Tc) 83W(Tc) 面実装 PG-TO252-3-313

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート Power, Sensing Selection Guide 2019
EDA/CADモデル IPD650P06NMATMA1 by SnapEDA
IPD650P06NMATMA1 by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 22A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 65ミリオーム @ 22A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 1.04mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 39nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1600pF @ 30V
FET機能 -
電力散逸(最大) 83W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3-313
パッケージ/ケース TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
ベース品番 IPD650
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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