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IPD30N03S4L09ATMA1 Nチャンネル 30V 30A(Tc) 42W(Tc) 面実装 PG-TO252-3
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数量 単価 金額
1 89.00000 ¥89
10 76.80000 ¥768
25 73.24000 ¥1,831
100 53.13000 ¥5,313
500 49.59000 ¥24,795

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : IPD30N03S4L09ATMA1TR-ND
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IPD30N03S4L09ATMA1

データシート
Digi-Key品番 IPD30N03S4L09ATMA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IPD30N03S4L09ATMA1
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商品概要 MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
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メーカーの標準リードタイム 26週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 30V 30A(Tc) 42W(Tc) 面実装 PG-TO252-3

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IPD30N03S4L-09
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Wafer Fab 12/Feb/2019
PCNパッケージング Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
HTMLデータシート IPD30N03S4L-09
シミュレーションモデル OptiMOS-T2 30V Spice Models
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 30A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 9ミリオーム @ 30A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.2V @ 13µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 20nC @ 10V
Vgs(最大) ±16V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1520pF @ 15V
FET機能 -
電力散逸(最大) 42W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3
パッケージ/ケース TO-252-3、DPak(2リード + タブ)、SC-63
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 IPD30N03S4L-09INCT
IPD30N03S4L-09INCT-ND
IPD30N03S4L09ATMA1CT