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IPB60R190C6ATMA1 N-Channel 600V 20.2A(Tc) 151W(Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
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IPB60R190C6ATMA1

データシート
Digi-Key品番 IPB60R190C6ATMA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IPB60R190C6ATMA1
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商品概要 MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
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商品概要の詳細

N-Channel 600V 20.2A(Tc) 151W(Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IPx60R190C6
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCNパッケージング Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
HTMLデータシート IPx60R190C6
シミュレーションモデル CoolMOS™ Power MOSFET 600V C6 Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ CoolMOS™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 新規設計向けに不適合
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 20.2A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 190ミリオーム @ 9.5A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3.5V @ 630µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 63nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1400pF @ 100V
FET機能 -
電力散逸(最大) 151W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ベース品番 IPB60R190
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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