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IPB037N06N3GATMA1 Nチャンネル 60V 90A(Tc) 188W(Tc) 面実装 D²PAK(TO-263AB)
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数量 単価 金額
1 173.00000 ¥173
10 155.40000 ¥1,554
25 146.60000 ¥3,665
100 114.35000 ¥11,435
250 111.41200 ¥27,853
500 96.75200 ¥48,376

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : IPB037N06N3GATMA1TR-ND
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  • 在庫数量: 3,000 - 即時
  • 単価: ¥82.09300

IPB037N06N3GATMA1

データシート
Digi-Key品番 IPB037N06N3GATMA1CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 IPB037N06N3GATMA1
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商品概要 MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
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メーカーの標準リードタイム 18週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 60V 90A(Tc) 188W(Tc) 面実装 D²PAK(TO-263AB)

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ドキュメントとメディア
データシート IPx037N06N3 G
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCNアセンブリ/原産地 OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018
PCNパッケージング Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
HTMLデータシート IPx037N06N3 G
シミュレーションモデル OptiMOS™ Power MOSFET 60V N-Channel Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 90A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 3.7ミリオーム @ 90A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 90µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 98nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 11000pF @ 30V
FET機能 -
消費電力(最大) 188W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK(TO-263AB)
パッケージ/ケース TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 IPB037N06N3 GCT
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IPB037N06N3GATMA1CT