IPB019N06L3GATMA1 Nチャンネル 60V 120A(Tc) 250W(Tc) 面実装 PG-TO263-3
価格と調達
 

数量

リストに追加

すべての価格はJPYです。
数量 単価 金額
1,000 251.87300 ¥251,873

表示よりも数量の多い 価格見積依頼を 提出

他の梱包形態

IPB019N06L3GATMA1

データシート
Digi-Key品番 IPB019N06L3GATMA1TR-ND
コピー  
仕入先

Infineon Technologies

コピー  
メーカー品番 IPB019N06L3GATMA1
コピー  
商品概要 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
コピー  
商品概要の詳細

Nチャンネル 60V 120A(Tc) 250W(Tc) 面実装 PG-TO263-3

コピー  
客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IPB019N06L3 G
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCNアセンブリ/原産地 OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018
PCNパッケージング Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
HTMLデータシート IPB019N06L3 G
シミュレーションモデル OptiMOS™ Power MOSFET 60V N-Channel Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
パッケージング テープ&リール(TR) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 120A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 1.9ミリオーム @ 100A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.2V @ 196µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 166nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 28000pF @ 30V
FET機能 -
電力散逸(最大) 250W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3
パッケージ/ケース TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
ベース品番 IPB019
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
その他のリソース
基準パッケージ 1,000
その他の製品名/品番 IPB019N06L3 G
IPB019N06L3 G-ND
IPB019N06L3 GTR-ND
IPB019N06L3G
IPB019N06L3GATMA1TR
SP000453020