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IPB019N06L3GATMA1 Nチャンネル 60V 120A(Tc) 250W(Tc) 面実装 D²PAK(TO-263AB)
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1 401.00000 ¥401
10 360.50000 ¥3,605
25 340.80000 ¥8,520
100 295.36000 ¥29,536
500 252.44400 ¥126,222

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IPB019N06L3GATMA1

データシート
Digi-Key品番 IPB019N06L3GATMA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 IPB019N06L3GATMA1
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商品概要 MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
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商品概要の詳細

Nチャンネル 60V 120A(Tc) 250W(Tc) 面実装 D²PAK(TO-263AB)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート IPB019N06L3 G
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCNアセンブリ/原産地 OptiMOS Assembly Site Add 2/Jan/2018
PCNパッケージング Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
HTMLデータシート IPB019N06L3 G
シミュレーションモデル OptiMOS™ Power MOSFET 60V N-Channel Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 120A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 1.9ミリオーム @ 100A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.2V @ 196µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 166nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 28000pF @ 30V
FET機能 -
電力散逸(最大) 250W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK(TO-263AB)
パッケージ/ケース TO-263-3、D²Pak(2リード + タブ)、TO-263AB
ベース品番 IPB019
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

BSS806NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3

Infineon Technologies

¥54.00000 詳細

LTC4238IUFD#PBF

HIGHVOLTAGE, HIGHPOWER HOTSWAP C

Analog Devices Inc.

¥1,498.00000 詳細

AB-557-03-HCHC-F-L-C-T

IC PCIE CLOCK GEN 100MHZ 14QFN

Abracon LLC

¥377.00000 詳細

1KSMB15CA

TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO214AA

Littelfuse Inc.

¥84.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 IPB019N06L3 GCT
IPB019N06L3 GCT-ND
IPB019N06L3GATMA1CT