JPY | USD
お気に入り

FF11MR12W1M1B11BOMA1 MOSFETアレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 1200V(1.2kV) 100A シャーシマウント モジュール
価格と調達
43 個在庫あり
即日出荷可能
 

注:ご記入は半角英数字にてお願いします。

数量
すべての価格はJPYです。
数量 単価 金額
1 18,121.00000 ¥18,121
10 17,355.50000 ¥173,555
25 16,972.68000 ¥424,317

表示よりも数量の多い 価格見積依頼を 提出

FF11MR12W1M1B11BOMA1

データシート
Digi-Key品番 FF11MR12W1M1B11BOMA1-ND
コピー  
仕入先

コピー  
メーカー品番 FF11MR12W1M1B11BOMA1
コピー  
商品概要 MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
コピー  
メーカーの標準リードタイム 16週間
商品概要の詳細

MOSFETアレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 1200V(1.2kV) 100A シャーシマウント モジュール

コピー  
ドキュメントとメディア
データシート FF11MR12W1M1_B11
CoolSiC™ MOSFET Brief
PCN設計/仕様 Mult Dev Datasheet Rev 28/Aug/2018
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ CoolSiC™
梱包形態 トレイ 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能 シリコンカーバイド(SiC)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 1200V(1.2kV)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 100A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 11ミリオーム @ 100A、15V
Id印加時のVgs(th)(最大) 5.55V @ 40mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 250nC @ 15V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 7950pF @ 800V
電力 - 最大 -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
実装タイプ シャーシマウント
パッケージ/ケース モジュール
サプライヤデバイスパッケージ モジュール
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 適用外
また次もご覧下さい

FF8MR12W2M1B11BOMA1

MOSFET MODULE 1200V 150A

Infineon Technologies

¥27,182.00000 詳細

FF45MR12W1M1B11BOMA1

MOSFET MODULE 1200V 50A

Infineon Technologies

¥6,698.00000 詳細

FF23MR12W1M1B11BOMA1

MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE

Infineon Technologies

¥10,788.00000 詳細

BSM120D12P2C005

MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

Rohm Semiconductor

¥40,487.00000 詳細

CGD15HB62P1

EVAL MODULE 1200V SIC MOSFET

Cree/Wolfspeed

¥23,141.00000 詳細

C3M0016120K

SIC MOSFET G3 1200V 16 MOHM

Cree/Wolfspeed

¥8,209.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 24
その他の製品名/品番 FF11MR12W1M1_B11
SP001602204