BSZ240N12NS3GATMA1 Nチャンネル 120V 37A(Tc) 66W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
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1 225.00000 ¥225
10 201.50000 ¥2,015
100 157.07000 ¥15,707
500 129.75600 ¥64,878
1,000 113.82100 ¥113,821

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BSZ240N12NS3GATMA1

データシート
Digi-Key品番 BSZ240N12NS3GATMA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 BSZ240N12NS3GATMA1
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商品概要 MOSFET N-CH 120V 37A 8TSDSON
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商品概要の詳細

Nチャンネル 120V 37A(Tc) 66W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート BSZ240N12NS3 G
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCNパッケージング Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
PCNその他 Multiple Changes 09/Jul/2014
HTMLデータシート BSZ240N12NS3 G
シミュレーションモデル OptiMOS™ Power MOSFET 120V N-Channel Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 120V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 37A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 24ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 4V @ 35µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 27nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1900pF @ 60V
FET機能 -
電力散逸(最大) 66W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PG-TSDSON-8
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
ベース品番 BSZ240
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 BSZ240N12NS3 GCT
BSZ240N12NS3 GCT-ND
BSZ240N12NS3GATMA1CT