BSZ160N10NS3GATMA1 N-Channel 100V 8A(Ta)、40A(Tc) 2.1W(Ta)、63W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8
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1 204.00000 ¥204
10 182.70000 ¥1,827
25 173.44000 ¥4,336
100 142.46000 ¥14,246
500 117.69200 ¥58,846
1,000 103.23700 ¥103,237

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BSZ160N10NS3GATMA1

データシート
Digi-Key品番 BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 BSZ160N10NS3GATMA1
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商品概要 MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON
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商品概要の詳細

N-Channel 100V 8A(Ta)、40A(Tc) 2.1W(Ta)、63W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート BSZ160N10NS3 G
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Solutions for Embedded Systems
Data Processing Systems
PCNパッケージング Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
PCNその他 Multiple Changes 09/Jul/2014
HTMLデータシート BSZ160N10NS3 G
シミュレーションモデル MOSFET OptiMOS™ 100V N-Channel Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 8A(Ta)、40A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 16ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 3.5V @ 12µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 25nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1700pF @ 50V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2.1W(Ta)、63W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PG-TSDSON-8
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
ベース品番 BSZ160
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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BSZ160N10NS3GATMA1CT