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BSZ036NE2LSATMA1 Nチャンネル 25V 16A(Ta)、40A(Tc) 2.1W(Ta)、37W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8-FL
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数量
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数量 単価 金額
1 99.00000 ¥99
10 85.50000 ¥855
25 81.60000 ¥2,040
100 59.24000 ¥5,924
500 49.49600 ¥24,748
1,000 42.12500 ¥42,125
2,500 37.51760 ¥93,794

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : BSZ036NE2LSATMA1TR-ND
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  • 単価: ¥34.25060

BSZ036NE2LSATMA1

データシート
Digi-Key品番 BSZ036NE2LSATMA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 BSZ036NE2LSATMA1
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商品概要 MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
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メーカーの標準リードタイム 18週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 25V 16A(Ta)、40A(Tc) 2.1W(Ta)、37W(Tc) 面実装 PG-TSDSON-8-FL

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート BSZ036NE2LS
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Site Add 30/Oct/2020
PCNパッケージング Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
シミュレーションモデル MOSFET OptiMOS™ 25V N-Channel Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 25V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 16A(Ta)、40A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 3.6ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 16nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1200pF @ 12V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2.1W(Ta)、37W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PG-TSDSON-8-FL
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

FDS8842NZ

MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC

ON Semiconductor

¥126.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 BSZ036NE2LSATMA1CT
BSZ036NE2LSCT
BSZ036NE2LSCT-ND