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BSS83PH6327XTSA1 Pチャンネル 60V 330mA(Ta) 360mW(Ta) 面実装 SOT-23-3
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10 45.90000 ¥459
25 41.40000 ¥1,035
100 28.61000 ¥2,861
500 19.57600 ¥9,788
1,000 15.05900 ¥15,059

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BSS83PH6327XTSA1

データシート
Digi-Key品番 BSS83PH6327XTSA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 BSS83PH6327XTSA1
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商品概要 MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
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メーカーの標準リードタイム 30週間
商品概要の詳細

Pチャンネル 60V 330mA(Ta) 360mW(Ta) 面実装 SOT-23-3

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート BSS83P
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCNアセンブリ/原産地 Lead Plate Supplier Add 26/Apr/2017
PCNパッケージング Carrier Tape Update 03/Jun/2015
HTMLデータシート BSS83P
シミュレーションモデル MOSFET OptiMOS™ 60V P-Channel Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ SIPMOS®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Pチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 330mA(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 2オーム @ 330mA、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2V @ 80µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 3.57nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 78pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 360mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 BSS83PH6327
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
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BSS83PH6327XTSA1CT