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BSS214NH6327XTSA1 Nチャンネル 20V 1.5A(Ta) 500mW(Ta) 面実装 SOT-23-3
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1 55.00000 ¥55
10 40.60000 ¥406
25 35.52000 ¥888
100 22.96000 ¥2,296
500 15.20800 ¥7,604
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BSS214NH6327XTSA1

データシート
Digi-Key品番 BSS214NH6327XTSA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 BSS214NH6327XTSA1
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商品概要 MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
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メーカーの標準リードタイム 30週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 20V 1.5A(Ta) 500mW(Ta) 面実装 SOT-23-3

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート BSS214N
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCNアセンブリ/原産地 Plating Supplier/Wafer Site Add 14/Feb/2017
PCNパッケージング Carrier Tape Update 03/Jun/2015
HTMLデータシート BSS214N
シミュレーションモデル OptiMOS™ Power MOSFET 20V N-Channel Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 1.5A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.5V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 140ミリオーム @ 1.5A、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.2V @ 3.7µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 0.8nC @ 5V
Vgs(最大) ±12V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 143pF @ 10V
FET機能 -
電力散逸(最大) 500mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 BSS214
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 BSS214N H6327CT
BSS214N H6327CT-ND
BSS214NH6327XTSA1CT