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BSS138WH6327XTSA1 Nチャンネル 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) 面実装 PG-SOT323-3
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10 45.10000 ¥451
25 37.68000 ¥942
100 23.89000 ¥2,389
500 15.71600 ¥7,858
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BSS138WH6327XTSA1

データシート
Digi-Key品番 BSS138WH6327XTSA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 BSS138WH6327XTSA1
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商品概要 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
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メーカーの標準リードタイム 30週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) 面実装 PG-SOT323-3

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート BSS138W
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCNアセンブリ/原産地 PCN 2016-052-A Retraction 25/Apr/2017
PCNパッケージング Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016
HTMLデータシート BSS138W
シミュレーションモデル MOSFET OptiMOS™ 60V N-Channel Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ SIPMOS®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 280mA(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 3.5オーム @ 200mA、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.4V @ 26µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 1.5nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 43pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 500mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT323-3
パッケージ/ケース SC-70、SOT-323
ベース品番 BSS138
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 BSS138WH6327XTSA1CT