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BSS126H6906XTSA1 Nチャンネル 600V 21mA(Ta) 500mW(Ta) 面実装 SOT-23-3
価格と調達
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数量
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数量 単価 金額
1 69.00000 ¥69
10 60.50000 ¥605
25 56.80000 ¥1,420
100 41.23000 ¥4,123
250 39.76400 ¥9,941
500 34.44800 ¥17,224
1,000 29.31800 ¥29,318

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : BSS126H6906XTSA1TR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
  • 在庫数量: 3,000 - 即時
  • 単価: ¥27.25367

BSS126H6906XTSA1

データシート
Digi-Key品番 BSS126H6906XTSA1CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 BSS126H6906XTSA1
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商品概要 MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23
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商品概要の詳細

Nチャンネル 600V 21mA(Ta) 500mW(Ta) 面実装 SOT-23-3

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ドキュメントとメディア
データシート BSS126
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCNアセンブリ/原産地 PCN 2016-052-A Retraction 25/Apr/2017
PCNパッケージング Carrier Tape Update 03/Jun/2015
HTMLデータシート BSS126
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ SIPMOS®
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 新規設計向けに不適合
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 21mA(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 0V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 500オーム @ 16mA、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.6V @ 8µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 2.1nC @ 5V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 28pF @ 25V
FET機能 デプリーションモード
消費電力(最大) 500mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 BSS126 H6906CT
BSS126 H6906CT-ND
BSS126H6906XTSA1CT