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BSS123NH6327XTSA1 Nチャンネル 100V 190mA(Ta) 500mW(Ta) 面実装 SOT-23-3
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1 48.00000 ¥48
10 35.50000 ¥355
25 30.96000 ¥774
100 20.05000 ¥2,005
500 13.27800 ¥6,639
1,000 10.17900 ¥10,179

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BSS123NH6327XTSA1

データシート
Digi-Key品番 BSS123NH6327XTSA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 BSS123NH6327XTSA1
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商品概要 MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
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メーカーの標準リードタイム 30週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 190mA(Ta) 500mW(Ta) 面実装 SOT-23-3

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート BSS123N
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCNアセンブリ/原産地 Lead Plate Supplier Add 26/Apr/2017
HTMLデータシート BSS123N
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 190mA(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 6オーム @ 190mA、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.8V @ 13µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 0.9nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 20.9pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 500mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
ベース品番 BSS123
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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