BSG0811NDATMA1 MOSFET - アレイ 2N-チャンネル(デュアル)非対称 25V 19A、41A 2.5W 面実装 PG-TISON-8
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BSG0811NDATMA1

データシート
Digi-Key品番 BSG0811NDATMA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 BSG0811NDATMA1
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商品概要 MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
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商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2N-チャンネル(デュアル)非対称 25V 19A、41A 2.5W 面実装 PG-TISON-8

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート BSG0811ND
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCNアセンブリ/原産地 Wafer Diameter Add 7/Apr/2017
PCNパッケージング Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
HTMLデータシート BSG0811ND
EDA/CADモデル BSG0811NDATMA1 by Ultra Librarian
シミュレーションモデル MOSFET OptiMOS™ 25V N-Channel Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2N-チャンネル(デュアル)非対称
FET機能 ロジックレベルゲート、4.5V駆動
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 25V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 19A、41A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 3ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 8.4nC @ 4.5V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1100pF @ 12V
電力 - 最大 2.5W
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
サプライヤデバイスパッケージ PG-TISON-8
ベース品番 BSG0811
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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