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BSD840NH6327XTSA1 MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 20V 880mA 500mW 面実装 PG-SOT363-6
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10 39.80000 ¥398
25 35.84000 ¥896
100 24.77000 ¥2,477
500 16.94800 ¥8,474
1,000 13.03700 ¥13,037

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BSD840NH6327XTSA1

データシート
Digi-Key品番 BSD840NH6327XTSA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 BSD840NH6327XTSA1
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商品概要 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
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メーカーの標準リードタイム 30週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 20V 880mA 500mW 面実装 PG-SOT363-6

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート BSD840N
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCNアセンブリ/原産地 PCN 2016-052-A Retraction 25/Apr/2017
PCNパッケージング Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016
HTMLデータシート BSD840N
シミュレーションモデル OptiMOS™ Power MOSFET 20V N-Channel Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 880mA
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 400ミリオーム @ 880mA、2.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 750mV @ 1.6µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 0.26nC @ 2.5V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 78pF @ 10V
電力 - 最大 500mW
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 6-VSSOP、SC-88、SOT-363
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT363-6
ベース品番 BSD840
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 BSD840N H6327CT
BSD840N H6327CT-ND
BSD840NH6327XTSA1CT