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BSC150N03LDGATMA1 MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 30V 8A 26W 面実装 PG-TDSON-8-4
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10 87.80000 ¥878
25 82.44000 ¥2,061
100 59.84000 ¥5,984
500 49.99800 ¥24,999
1,000 42.55100 ¥42,551
2,500 39.89120 ¥99,728

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  • 単価: ¥35.90220

BSC150N03LDGATMA1

データシート
Digi-Key品番 BSC150N03LDGATMA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 BSC150N03LDGATMA1
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商品概要 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
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メーカーの標準リードタイム 39週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 30V 8A 26W 面実装 PG-TDSON-8-4

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート BSC150N03LD G
BSC150N03LD G
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCNパッケージング Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
HTMLデータシート BSC150N03LD G
シミュレーションモデル MOSFET OptiMOS™ 30V N-Channel Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 8A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 15ミリオーム @ 20A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 13.2nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1100pF @ 15V
電力 - 最大 26W
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-4
ベース品番 BSC150N03
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 BSC150N03LD GCT
BSC150N03LD GCT-ND
BSC150N03LDGATMA1CT