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BSC050N03LSGATMA1 Nチャンネル 30V 18A(Ta)、80A(Tc) 2.5W(Ta)、50W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-5
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10 91.60000 ¥916
25 86.08000 ¥2,152
100 70.26000 ¥7,026
500 55.54600 ¥27,773
1,000 44.43700 ¥44,437
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BSC050N03LSGATMA1

データシート
Digi-Key品番 BSC050N03LSGATMA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 BSC050N03LSGATMA1
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商品概要 MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
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商品概要の詳細

Nチャンネル 30V 18A(Ta)、80A(Tc) 2.5W(Ta)、50W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-5

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート BSC050N03LS G
BSC050N03LS G
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCNアセンブリ/原産地 Assembly Site Update 26/Jul/2016
PCNパッケージング Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
PCNその他 Multiple Changes 09/Jul/2014
HTMLデータシート BSC050N03LS G
シミュレーションモデル MOSFET OptiMOS™ 30V N-Channel Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 18A(Ta)、80A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 5ミリオーム @ 30A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 35nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 2800pF @ 15V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2.5W(Ta)、50W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-5
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
ベース品番 BSC050
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON

Infineon Technologies

¥123.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 BSC050N03LSGATMA1CT
BSC050N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC050N03LSGINCT
BSC050N03LSGINCT-ND