BSC022N04LS6ATMA1 Nチャンネル 40V 27A(Ta)、100A(Tc) 3W(Ta)、79W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-1
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BSC022N04LS6ATMA1

データシート
Digi-Key品番 BSC022N04LS6ATMA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 BSC022N04LS6ATMA1
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商品概要 MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
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商品概要の詳細

Nチャンネル 40V 27A(Ta)、100A(Tc) 3W(Ta)、79W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-1

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カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 27A(Ta)、100A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 2.2ミリオーム @ 50A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.3V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 28nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1900pF @ 20V
FET機能 -
電力散逸(最大) 3W(Ta)、79W(Tc)
動作温度 -55°C~175°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-1
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
ベース品番 BSC022
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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