BSC014N04LSIATMA1 Nチャンネル 40V 31A(Ta)、100A(Tc) 2.5W(Ta)、96W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8 FL
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BSC014N04LSIATMA1

データシート
Digi-Key品番 BSC014N04LSIATMA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 BSC014N04LSIATMA1
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商品概要 MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
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商品概要の詳細

Nチャンネル 40V 31A(Ta)、100A(Tc) 2.5W(Ta)、96W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8 FL

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート BSC014N04LSI
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Solutions for Embedded Systems
Data Processing Systems
Robotics and Automated Guided Vehicles (AGV)
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Wafer Site Add 1/Aug/2019
HTMLデータシート BSC014N04LSI
EDA/CADモデル BSC014N04LSIATMA1 by SnapEDA
BSC014N04LSIATMA1 by Ultra Librarian
シミュレーションモデル OptiMOS™ Power MOSFET 40V N-Channel Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 31A(Ta)、100A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 1.45ミリオーム @ 50A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 55nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 4000pF @ 20V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2.5W(Ta)、96W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8 FL
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
ベース品番 BSC014
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 BSC014N04LSIATMA1CT