BSC009NE2LSATMA1 Nチャンネル 25V 41A(Ta)、100A(Tc) 2.5W(Ta)、96W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-7
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BSC009NE2LSATMA1

データシート
Digi-Key品番 BSC009NE2LSATMA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 BSC009NE2LSATMA1
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商品概要 MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
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商品概要の詳細

Nチャンネル 25V 41A(Ta)、100A(Tc) 2.5W(Ta)、96W(Tc) 面実装 PG-TDSON-8-7

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート BSC009NE2LS
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCN設計/仕様 OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Assembly Site Add REV 12/Jul/2019
PCNパッケージング Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018
Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019
シミュレーションモデル OptiMOS™ Power MOSFET 25V N-Channel Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 25V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 41A(Ta)、100A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 0.9 ミリオーム @ 30A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 126nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 5800pF @ 12V
FET機能 -
電力散逸(最大) 2.5W(Ta)、96W(Tc)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8-7
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
ベース品番 BSC009
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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BSC009NE2LSCT
BSC009NE2LSCT-ND