JPY | USD
お気に入り

BFR93AE6327HTSA1 RF Transistor NPN 12V 90mA 6GHz 300mW 面実装 SOT-23-3
価格と調達
19,227 個在庫あり
即日出荷可能
 

注:ご記入は半角英数字にてお願いします。

数量
すべての価格はJPYです。
数量 単価 金額
1 45.00000 ¥45
10 36.50000 ¥365
100 24.84000 ¥2,484
500 18.62600 ¥9,313
1,000 13.96800 ¥13,968

表示よりも数量の多い 価格見積依頼を 提出

他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : BFR93AE6327HTSA1TR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
  • 在庫数量: 18,000 - 即時
  • 単価: ¥12.43233

BFR93AE6327HTSA1

データシート
Digi-Key品番 BFR93AE6327HTSA1CT-ND
コピー  
仕入先

コピー  
メーカー品番 BFR93AE6327HTSA1
コピー  
商品概要 RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3
コピー  
メーカーの標準リードタイム 4週間
商品概要の詳細

RF Transistor NPN 12V 90mA 6GHz 300mW 面実装 SOT-23-3

コピー  
ドキュメントとメディア
データシート BFR93A
その他の関連資料 Part Number Guide
PCNパッケージング Recyclable Glass Carrier 14/Oct/2014
Carrier Tape Update 03/Jun/2015
シミュレーションモデル Infineon-RFTransistor-AWR_MWO_Design_Kit-SM-v02_10-EN Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ -
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
トランジスタタイプ NPN
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 12V
周波数 - トランジション 6GHz
雑音指数(fあたりのdB標準) 1.5dB~2.6dB @ 900MHz~1.8GHz
ゲイン 9.5dB~14.5dB
電力 - 最大 300mW
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小) 70 @ 30mA、8V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 90mA
動作温度 150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3
ベース部品番号 BFR93
 
環境および輸出に関する分類
鉛フリーステータス / RoHS ステータス 鉛フリー / ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

BFR92PE6327HTSA1

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3

Infineon Technologies

¥52.00000 詳細

BF998E6327HTSA1

MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143

Infineon Technologies

¥53.00000 詳細

BD135

TRANS NPN 45V 1.5A SOT-32

STMicroelectronics

¥60.00000 詳細

BFR106E6327HTSA1

RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3

Infineon Technologies

¥45.00000 詳細

1N4740A,133

DIODE ZENER 10V 1W DO41

Nexperia USA Inc.

¥35.00000 詳細

2SC5086-O,LF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM

Toshiba Semiconductor and Storage

¥26.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 BFR 93A E6327CT
BFR 93A E6327CT-ND
BFR93AE6327HTSA1CT