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BFP840FESDH6327XTSA1 RF Transistor NPN 2.6V 35mA 85GHz 75mW 面実装 4-TSFP
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1 53.00000 ¥53
10 46.20000 ¥462
100 34.44000 ¥3,444
500 27.06200 ¥13,531
1,000 20.91200 ¥20,912

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : BFP840FESDH6327XTSA1TR-ND
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BFP840FESDH6327XTSA1

データシート
Digi-Key品番 BFP840FESDH6327XTSA1CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 BFP840FESDH6327XTSA1
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商品概要 RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP
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メーカーの標準リードタイム 8週間
商品概要の詳細

RF Transistor NPN 2.6V 35mA 85GHz 75mW 面実装 4-TSFP

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ドキュメントとメディア
データシート BFP840FESD
その他の関連資料 Part Number Guide
PCN設計/仕様 Mult Dev DS Update 11/Oct/2018
PCNパッケージング Recyclable Glass Carrier 14/Oct/2014
Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016
シミュレーションモデル Infineon - BFP840FESD - Ultra Low Noise SiGeC Transistor for use up to 12 GHz Spice Model
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ -
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
トランジスタタイプ NPN
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 2.6V
周波数 - トランジション 85GHz
雑音指数(fあたりのdB標準) 0.75dB @ 5.5GHz
ゲイン 35dB
電力 - 最大 75mW
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小) 150 @ 10mA、1.8V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 35mA
動作温度 150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
パッケージ/ケース SC-82A、SOT-343
サプライヤデバイスパッケージ 4-TSFP
ベース部品番号 BFP840
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 BFP 840FESD H6327CT
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BFP840FESDH6327XTSA1CT