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BCR555E6327HTSA1 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - プリバイアス 50V 500mA 150MHz 330mW 面実装 SOT-23-3
価格と調達
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数量
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数量 単価 金額
1 37.00000 ¥37
10 28.00000 ¥280
25 24.48000 ¥612
100 13.29000 ¥1,329
250 13.22400 ¥3,306
500 10.84200 ¥5,421
1,000 8.04500 ¥8,045

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : BCR555E6327HTSA1TR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
  • 在庫数量: 0
  • 単価: ¥8.04733
  • テープ&リール(TR)  : BCR555E6433HTMA1TR-ND
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  • 在庫数量: 0
  • 単価: ¥5.77250

BCR555E6327HTSA1

データシート
Digi-Key品番 BCR555E6327HTSA1CT-ND
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仕入先

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メーカー品番 BCR555E6327HTSA1
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商品概要 TRANS PREBIAS PNP 0.33W SOT23-3
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商品概要の詳細

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - プリバイアス 50V 500mA 150MHz 330mW 面実装 SOT-23-3

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ドキュメントとメディア
データシート BCR555
その他の関連資料 Part Number Guide
PCN生産終息/ EOL Multi Device EOL 4/Feb/2016
Mult Dev EOL 17/Dec/2018
Mult Dev LTB Rev 17/Dec/2018
PCNパッケージング Carrier Tape Update 03/Jun/2015
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ -
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 購入可能最終日あり
トランジスタタイプ PNP - プリバイアス
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 500mA
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V
抵抗 - ベース(R1) 2.2 kOhms
抵抗 - エミッタベース(R2) 10 kOhms
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小) 70 @ 50mA、5V
Vce飽和(最大) @ lb、Ic 300mV @ 2.5mA、50mA
電流 - コレクタ遮断(最大) 100nA(ICBO)
周波数 - トランジション 150MHz
電力 - 最大 330mW
実装タイプ 面実装
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3
ベース部品番号 BCR555
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 BCR 555 E6327CT
BCR 555 E6327CT-ND
BCR555E6327HTSA1CT