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BCR523E6327HTSA1 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - プリバイアス 50V 500mA 100MHz 330mW 面実装 SOT-23-3
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10 28.00000 ¥280
100 13.29000 ¥1,329
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  • テープ&リール(TR)  : BCR523E6327HTSA1TR-ND
  • 最小発注数量: 3,000
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  • 最小発注数量: 1
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  • テープ&リール(TR)  : BCR523E6433HTMA1TR-ND
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BCR523E6327HTSA1

データシート
Digi-Key品番 BCR523E6327HTSA1DKR-ND
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仕入先

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メーカー品番 BCR523E6327HTSA1
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商品概要 TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3
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商品概要の詳細

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - プリバイアス 50V 500mA 100MHz 330mW 面実装 SOT-23-3

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ドキュメントとメディア
データシート BCR523
その他の関連資料 Part Number Guide
PCN生産終息/ EOL Multi Device EOL 4/Feb/2016
Mult Dev LTB Rev 17/Dec/2018
PCNパッケージング Carrier Tape Update 03/Jun/2015
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ -
梱包形態 Digi-Reel® 
部品状況 購入可能最終日あり
トランジスタタイプ NPN - プリバイアス
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 500mA
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) 50V
抵抗 - ベース(R1) 1 kOhms
抵抗 - エミッタベース(R2) 10 kOhms
Ic、Vce印加時のDC電流ゲイン(hFE)(最小) 70 @ 50mA、5V
Vce飽和(最大) @ lb、Ic 300mV @ 2.5mA、50mA
電流 - コレクタ遮断(最大) 100nA(ICBO)
周波数 - トランジション 100MHz
電力 - 最大 330mW
実装タイプ 面実装
パッケージ/ケース TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
サプライヤデバイスパッケージ SOT-23-3
ベース部品番号 BCR523
 
環境および輸出に関する分類
鉛フリーステータス / RoHS ステータス 鉛フリー / ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 BCR 523 E6327DKR
BCR 523 E6327DKR-ND
BCR523E6327HTSA1DKR