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2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 60V 300mA 500mW 面実装 PG-SOT363-6
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1 49.00000 ¥49
10 36.10000 ¥361
25 31.52000 ¥788
100 20.41000 ¥2,041
500 13.52000 ¥6,760
1,000 10.36500 ¥10,365

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他の梱包形態

2N7002DWH6327XTSA1

データシート
Digi-Key品番 2N7002DWH6327XTSA1CT-ND
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仕入先

Infineon Technologies

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メーカー品番 2N7002DWH6327XTSA1
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商品概要 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
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メーカーの標準リードタイム 30週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 60V 300mA 500mW 面実装 PG-SOT363-6

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート 2N7002DW Datasheet
その他の関連資料 Part Number Guide
ハイライト製品 Data Processing Systems
PCNアセンブリ/原産地 Plating Supplier/Wafer Site Add 14/Feb/2017
PCNパッケージング Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016
HTMLデータシート 2N7002DW Datasheet
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Infineon Technologies
シリーズ OptiMOS™
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 300mA
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 3オーム @ 500mA、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 0.6nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 20pF @ 25V
電力 - 最大 500mW
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 6-VSSOP、SC-88、SOT-363
サプライヤデバイスパッケージ PG-SOT363-6
ベース品番 2N7002
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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2N7002DWH6327XTSA1CT
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