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100 162.83000 ¥16,283
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  • テープ&リール(TR)  : 917-1169-2-ND
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  • Digi-Reel®  : 917-1169-6-ND
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Digi-Key品番 917-1169-1-ND
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仕入先

EPC

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メーカー品番 EPC2108
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商品概要 GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
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メーカーの標準リードタイム 14週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 3Nチャンネル(ハーフブリッジ + 同期式ブートストラップ) 60V、100V 1.7A、500mA 面実装 9-BGA(1.35x1.35)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート EPC2108
RoHS情報 EPC RoHS3 Cert
EPC REACH211 Cert
ハイライト製品 Wireless Power Solutions
GaN ICs for Wireless Power
リファレンス設計ライブラリ EPC9113(#1): 16W, Class-D, Rezence (A4WP) Compatible
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
HTMLデータシート EPC2108
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 3Nチャンネル(ハーフブリッジ + 同期式ブートストラップ)
FET機能 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 60V、100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 1.7A、500mA
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 190ミリオーム @ 2.5A、 5V、 3.3オーム @ 2.5A、 5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 100µA、2.5V @ 20µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 0.22nC @ 5V、 0.044nC @ 5V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 22pF @ 30V、 7pF @ 30V
電力 - 最大 -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 9-VFBGA
サプライヤデバイスパッケージ 9-BGA(1.35x1.35)
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 917-1169-1