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EPC2022 Nチャンネル 100V 60A(Ta) 面実装 ダイ
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数量 単価 金額
1 829.00000 ¥829
10 748.70000 ¥7,487
25 713.84000 ¥17,846
100 591.96000 ¥59,196
500 522.32000 ¥261,160

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : 917-1133-2-ND
  • 最小発注数量: 1,000
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  • 単価: ¥469.55400
  • Digi-Reel®  : 917-1133-6-ND
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  • 単価: Digi-Reel®
Digi-Key品番 917-1133-1-ND
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仕入先

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メーカー品番 EPC2022
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商品概要 GAN TRANS 100V 3MOHM BUMPED DIE
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 60A(Ta) 面実装 ダイ

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ドキュメントとメディア
データシート EPC2022
ビデオファイル Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
ハイライト製品 High Power eGaN® FETs
リファレンス設計ライブラリ EPC9080: 30A, 0 ~ 100V, Half H-Bridge
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
EDA/CADモデル EPC2022 by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 60A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 3.2ミリオーム @ 25A、5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 12mA
Vgs(最大) +6V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 1500pF @ 50V
FET機能 -
電力散逸(最大) -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ ダイ
パッケージ/ケース ダイ
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
併用製品

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BOARD DEV FOR EPC2045 & EPC2022

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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 917-1133-1