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EPC2014C Nチャンネル 40V 10A(Ta) 面実装 ダイ外径(5-はんだ棒)
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数量 単価 金額
1 165.00000 ¥165
10 147.80000 ¥1,478
25 140.36000 ¥3,509
100 105.26000 ¥10,526
500 89.22000 ¥44,610
1,000 72.67800 ¥72,678

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : 917-1082-2-ND
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  • Digi-Reel®  : 917-1082-6-ND
  • 最小発注数量: 1
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  • 単価: Digi-Reel®
Digi-Key品番 917-1082-1-ND
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仕入先

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メーカー品番 EPC2014C
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商品概要 GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 40V 10A(Ta) 面実装 ダイ外径(5-はんだ棒)

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ドキュメントとメディア
データシート EPC2014C
製品トレーニングモジュール eGaN® FET Reliability
ビデオファイル Texas Instruments/Wurth/EPC GaN Solutions First Look Video
ハイライト製品 EPC Low Voltage eGaN® FETs
リファレンス設計ライブラリ EPC9005C: 7A, 0 ~ 40V, Half H-Bridge Driver
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
HTMLデータシート EPC2014C
EDA/CADモデル EPC2014C by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 10A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 16ミリオーム @ 10A、 5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 2mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 2.5nC @ 5V
Vgs(最大) +6V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 300pF @ 20V
FET機能 -
電力散逸(最大) -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ ダイ外径(5-はんだ棒)
パッケージ/ケース ダイ
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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