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1 765.00000 ¥765
10 687.00000 ¥6,870
25 649.48000 ¥16,237
100 562.88000 ¥56,288
500 479.17400 ¥239,587
1,000 404.12300 ¥404,123

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  • テープ&リール(TR)  : 917-1085-2-ND
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  • Digi-Reel®  : 917-1085-6-ND
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Digi-Key品番 917-1085-1-ND
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仕入先

EPC

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メーカー品番 EPC2010C
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商品概要 GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 200V 22A(Ta) 面実装 ダイ外径(7-はんだ棒)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート EPC2010C
製品トレーニングモジュール eGaN® FET Reliability
ハイライト製品 EPC Low Voltage eGaN® FETs
EPC9052/53/54 Development Boards
リファレンス設計ライブラリ EPC9003C: 5A, 200V, Half Bridge
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
HTMLデータシート EPC2010C
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 GaNFET(窒化ガリウム)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 22A(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 25ミリオーム @ 12A、5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.5V @ 3mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 5.3nC @ 5V
Vgs(最大) +6V、-4V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 540pF @ 100V
FET機能 -
電力散逸(最大) -
動作温度 -40°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ ダイ外径(7-はんだ棒)
パッケージ/ケース ダイ
ベース品番 EPC2010
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 917-1085-1