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EPC2001C EPC | 917-1079-1-ND DigiKey Electronics



EPC2001C Nチャンネル 100V 36A（Ta） 面実装 ダイ外径（11-はんだ棒）
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10 516.30000 ¥5,163
100 423.02000 ¥42,302
500 360.11400 ¥180,057
1,000 303.71100 ¥303,711

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EPC2001C

データシート
Digi-Key品番 917-1079-1-ND
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仕入先

EPC

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メーカー品番 EPC2001C
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商品概要 GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
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メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 36A（Ta） 面実装 ダイ外径（11-はんだ棒）

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客先参照品番（任意）
ドキュメントとメディア
データシート EPC2001C
製品トレーニングモジュール eGaN® FET Reliability
RoHS情報 EPC RoHS3 Cert
EPC REACH211 Cert
ハイライト製品 EPC Low Voltage eGaN® FETs
リファレンス設計ライブラリ EPC9126HC: 150A, 0 ~ 80V, Pulsed Laser Diode Driver
PCN設計/仕様 Mfg Process Update 29/Mar/2016
PCNアセンブリ/原産地 Assembly Site 25/Jun/2021
HTMLデータシート EPC2001C
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ ディスクリート半導体製品
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
パッケージング カット テープ（CT） 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 GaNFET（窒化ガリウム）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 36A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 7ミリオーム @ 25A、5V
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 5mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 9nC @ 5V
Vgs（最大） +6V、-4V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 900pF @ 50V
FET機能 -
電力散逸（最大） -
動作温度 -40°C～150°C（TJ）
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ ダイ外径（11-はんだ棒）
パッケージ/ケース ダイ
ベース品番 EPC2001
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル（MSL） 1（無制限）
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