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EPC2001C EPC | 917-1079-1-ND DigiKey Electronics

EPC2001C Nチャンネル 100V 36A（Ta） 面実装 ダイ外径（11-はんだ棒）
価格と調達
 

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数量
すべての価格はJPYです。
数量 単価 金額
1 547.00000 ¥547
10 489.00000 ¥4,890
25 440.08000 ¥11,002
100 400.96000 ¥40,096
250 361.84000 ¥90,460
500 324.68000 ¥162,340
1,000 273.82600 ¥273,826

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製品概要
Digi-Key品番 917-1079-1-ND
コピー   917-1079-1-ND
在庫数量 57,976
即日出荷可能
仕入先

コピー   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
メーカー品番

EPC2001C

コピー   EPC2001C
商品概要 GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE
コピー   GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE
メーカーの標準リードタイム 12週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 36A（Ta） 面実装 ダイ外径（11-はんだ棒）

コピー   Nチャンネル 100V 36A（Ta） 面実装 ダイ外径（11-はんだ棒）
ドキュメントとメディア
データシート EPC2001C Datasheet
製品トレーニングモジュール eGaN® FET Reliability
ビデオファイル How eGaN transistor technology improves lidar performance
ハイライト製品 EPC Low Voltage eGaN® FETs
リファレンス設計ライブラリ EPC9102: 12V @ 8 ~ 17A, 48V in
EPC9118: 5V @ 20A, 30 ~ 60 Vin, Buck
EPC9013: 35A, 100V, Half Bridge
EPC9019: 20A, 0 ~ 80V, Half H-Bridge
EPC9126HC: 150A, 0 ~ 80V, Pulsed Laser Diode Driver
PCN設計/仕様 Mfg Process Update 29/Mar/2016
PCNアセンブリ/原産地 Site Change 13/Mar/2017
EPC2/8 10/Apr/2017
EPC2YYY 20/Sep/2018
製品属性 全てを削除
カテゴリ ディスクリート半導体製品
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
梱包形態 ? カット テープ（CT） ?
部品状況 有効
FETタイプ Nチャンネル
技術 GaNFET（窒化ガリウム）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 36A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 7ミリオーム @ 25A、5V
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 5mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 9nC @ 5V
Vgs（最大） +6V、-4V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 900pF @ 50V
FET機能 -
消費電力（最大） -
動作温度 -40°C～150°C（TJ）
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ ダイ外径（11-はんだ棒）
パッケージ/ケース ダイ
 
環境および輸出に関する分類
鉛フリーステータス / RoHS ステータス 鉛フリー / RoHS対応
湿度感度レベル（MSL） 1（無制限）
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その他のリソース
基準パッケージ ? 1
その他の製品名/品番 917-1079-1
梱包形態の種類 | この製品の梱包形態は、下記の種類があります。
  • テープ＆リール（TR） ? : 917-1079-2-ND
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21:33:53 4/19/2019