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EPC2001C EPC | 917-1079-1-ND DigiKey Electronics

EPC2001C Nチャンネル 100V 36A（Ta） 面実装 ダイ外径（11-はんだ棒）
価格と調達
 

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数量
すべての価格はJPYです。
数量 単価 金額
1 538.00000 ¥538
10 480.40000 ¥4,804
25 432.28000 ¥10,807
100 393.86000 ¥39,386
250 355.44000 ¥88,860
500 318.93600 ¥159,468
1,000 268.98200 ¥268,982

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製品概要
Digi-Key品番 917-1079-1-ND
コピー   917-1079-1-ND
在庫数量 19,787
即日出荷可能
仕入先

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メーカー品番

EPC2001C

コピー   EPC2001C
商品概要 GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE
コピー   GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE
商品概要の詳細

Nチャンネル 100V 36A（Ta） 面実装 ダイ外径（11-はんだ棒）

コピー   Nチャンネル 100V 36A（Ta） 面実装 ダイ外径（11-はんだ棒）
ドキュメントとメディア
データシート EPC2001C Datasheet
製品トレーニングモジュール eGaN® FET Reliability
ビデオファイル How eGaN transistor technology improves lidar performance
ハイライト製品 EPC Low Voltage eGaN® FETs
リファレンス設計ライブラリ EPC9102: 12V @ 8 ~ 17A, 48V in
EPC9118: 5V @ 20A, 30 ~ 60 Vin, Buck
EPC9013: 35A, 100V, Half Bridge
EPC9019: 20A, 0 ~ 80V, Half H-Bridge
EPC9126HC: 150A, 0 ~ 80V, Pulsed Laser Diode Driver
PCN設計/仕様 Mfg Process Update 29/Mar/2016
PCNアセンブリ/原産地 Site Change 13/Mar/2017
EPC2/8 10/Apr/2017
EPC2YYY 20/Sep/2018
製品属性 全てを削除
カテゴリ ディスクリート半導体製品
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
仕入先 EPC
シリーズ eGaN®
梱包形態 ? カット テープ（CT） ?
部品状況 有効
FETタイプ Nチャンネル
技術 GaNFET（窒化ガリウム）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 36A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 7ミリオーム @ 25A、5V
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 5mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 9nC @ 5V
Vgs（最大） +6V、-4V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 900pF @ 50V
FET機能 -
消費電力（最大） -
動作温度 -40°C～150°C（TJ）
実装タイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ ダイ外径（11-はんだ棒）
パッケージ/ケース ダイ
 
環境および輸出に関する分類
鉛フリーステータス / RoHS ステータス 鉛フリー / RoHS対応
湿度感度レベル（MSL） 1（無制限）
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その他のリソース
基準パッケージ ? 1
その他の製品名/品番 917-1079-1
梱包形態の種類 | この製品の梱包形態は、下記の種類があります。
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  • 在庫数量: 17,500 - 即時
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20:41:51 2/22/2019