ZXMC10A816N8TC MOSFET - アレイ NおよびPチャンネル 100V 2A 1.8W 面実装 8-SO
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ZXMC10A816N8TC

データシート
Digi-Key品番 ZXMC10A816N8DICT-ND
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仕入先

Diodes Incorporated

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メーカー品番 ZXMC10A816N8TC
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商品概要 MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
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メーカーの標準リードタイム 50週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ NおよびPチャンネル 100V 2A 1.8W 面実装 8-SO

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート ZXMC10A816N8
RoHS情報 Diodes RoHS 3 Cert
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Diodes Incorporated
シリーズ -
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ NおよびPチャンネル
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 2A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 230ミリオーム @ 1A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 9.2nC @ 10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 497pF @ 50V
電力 - 最大 1.8W
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO
ベース品番 ZXMC10
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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