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DMN63D8LW-13 Nチャンネル 30V 380mA(Ta) 300mW(Ta) 面実装 SOT-323
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1 29.00000 ¥29
10 23.40000 ¥234
25 19.64000 ¥491
100 12.43000 ¥1,243
500 8.17800 ¥4,089
1,000 5.56100 ¥5,561
2,500 5.01600 ¥12,540
5,000 4.36200 ¥21,810

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : DMN63D8LW-13DITR-ND
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DMN63D8LW-13

データシート
Digi-Key品番 DMN63D8LW-13DICT-ND
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仕入先

Diodes Incorporated

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メーカー品番 DMN63D8LW-13
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商品概要 MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
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メーカーの標準リードタイム 32週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 30V 380mA(Ta) 300mW(Ta) 面実装 SOT-323

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート DMN63D8LW
RoHS情報 Diodes RoHS 3 Cert
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Site Add 1/Jul/2020
EDA/CADモデル DMN63D8LW-13 by Ultra Librarian
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Diodes Incorporated
シリーズ -
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 380mA(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 2.8オーム @ 250mA、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 0.9nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 23.2pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 300mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-323
パッケージ/ケース SC-70、SOT-323
ベース品番 DMN63
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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