DMN30H4D0LFDE-7 N-Channel 300V 550mA (Ta) 630mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプE)
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1 65.00000 ¥65
10 55.10000 ¥551
25 51.36000 ¥1,284
100 41.10000 ¥4,110
500 32.29600 ¥16,148
1,000 24.95500 ¥24,955

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DMN30H4D0LFDE-7

データシート
Digi-Key品番 DMN30H4D0LFDE-7DICT-ND
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仕入先

Diodes Incorporated

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メーカー品番 DMN30H4D0LFDE-7
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商品概要 MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
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メーカーの標準リードタイム 49週間
商品概要の詳細

N-Channel 300V 550mA (Ta) 630mW(Ta) 面実装 U-DFN2020-6(タイプE)

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート DMN30H4D0LFDE
RoHS情報 Diodes RoHS 3 Cert
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Assembly Add 7/Dec/2018
HTMLデータシート DMN30H4D0LFDE
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Diodes Incorporated
シリーズ -
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 300V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 550mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.7V、10V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 4オーム @ 300mA、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 2.8V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 7.6nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 187.3pF @ 25V
FET機能 -
電力散逸(最大) 630mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ U-DFN2020-6(タイプE)
パッケージ/ケース 6-PowerUDFN
ベース品番 DMN30
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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