DMN26D0UFB4-7 Nチャンネル 20V 230mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 X2-DFN1006-3
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DMN26D0UFB4-7

データシート
Digi-Key品番 DMN26D0UFB4-7DITR-ND
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仕入先

Diodes Incorporated

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メーカー品番 DMN26D0UFB4-7
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商品概要 MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
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メーカーの標準リードタイム 52週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 20V 230mA(Ta) 350mW(Ta) 面実装 X2-DFN1006-3

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート DMN26D0UFB4
RoHS情報 Diodes RoHS 3 Cert
PCN設計/仕様 Bond Wire 11/Nov/2011
DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018
EDA/CADモデル DMN26D0UFB4-7 by Ultra Librarian
DMN26D0UFB4-7 by SnapEDA
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Diodes Incorporated
シリーズ -
パッケージング テープ&リール(TR) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 230mA(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 1.5V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 3オーム @ 100mA、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.1V @ 250µA
Vgs(最大) ±10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 14.1pF @ 15V
FET機能 -
電力散逸(最大) 350mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ X2-DFN1006-3
パッケージ/ケース 3-XFDFN
ベース品番 DMN26
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 3,000
その他の製品名/品番 DMN26D0UFB4-7DITR
DMN26D0UFB47