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10 43.70000 ¥437
25 39.40000 ¥985
100 27.22000 ¥2,722
500 18.62200 ¥9,311
1,000 14.32500 ¥14,325

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DMN2005LP4K-7

データシート
Digi-Key品番 DMN2005LP4KDICT-ND
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仕入先

Diodes Incorporated

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メーカー品番 DMN2005LP4K-7
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商品概要 MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
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メーカーの標準リードタイム 33週間
商品概要の詳細

Nチャンネル 20V 200mA(Ta) 400mW(Ta) 面実装 X2-DFN1006-3

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート DMN2005LP4K
RoHS情報 Diodes RoHS 3 Cert
PCN設計/仕様 Bond Wire 11/Nov/2011
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Diodes Incorporated
シリーズ -
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 200mA(Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 1.5V、4V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 1.5オーム @ 10mA、4V
Id印加時のVgs(th)(最大) 900mV @ 100µA
Vgs(最大) ±10V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 41pF @ 3V
FET機能 -
電力散逸(最大) 400mW(Ta)
動作温度 -65°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ X2-DFN1006-3
パッケージ/ケース 3-XFDFN
ベース品番 DMN2005
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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基準パッケージ 1
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