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DMG4800LSD-13 MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 30V 7.5A 1.17W 面実装 8-SOP
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1 62.00000 ¥62
10 53.30000 ¥533
25 49.68000 ¥1,242
100 36.90000 ¥3,690
250 35.05600 ¥8,764
500 28.81200 ¥14,406
1,000 23.41800 ¥23,418

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他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : DMG4800LSD-13DITR-ND
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  • 単価: ¥21.99840

DMG4800LSD-13

データシート
Digi-Key品番 DMG4800LSD-13DICT-ND
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仕入先

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メーカー品番 DMG4800LSD-13
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商品概要 MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
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メーカーの標準リードタイム 16週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 30V 7.5A 1.17W 面実装 8-SOP

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ドキュメントとメディア
データシート DMG4800LSD
RoHS情報 Diodes RoHS 3 Cert
PCN設計/仕様 Bond Wire 11/Nov/2011
PCNその他 Multiple Device Changes 29/Apr/2013
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Diodes Incorporated
シリーズ -
梱包形態 カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 7.5A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 16ミリオーム @ 9A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.6V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 8.56nC @ 5V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 798pF @ 10V
電力 - 最大 1.17W
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
実装タイプ 面実装
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP
ベース部品番号 DMG4800LSD
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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