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DMG4800LSD-13 MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 30V 7.5A 1.17W 面実装 8-SOP
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1 69.00000 ¥69
10 58.50000 ¥585
25 54.56000 ¥1,364
100 43.66000 ¥4,366
500 34.30200 ¥17,151
1,000 26.50600 ¥26,506

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  • テープ&リール(TR)  : DMG4800LSD-13DITR-ND
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DMG4800LSD-13

データシート
Digi-Key品番 DMG4800LSD-13DICT-ND
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仕入先

Diodes Incorporated

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メーカー品番 DMG4800LSD-13
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商品概要 MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
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メーカーの標準リードタイム 45週間
商品概要の詳細

MOSFET - アレイ 2 Nチャンネル(デュアル) 30V 7.5A 1.17W 面実装 8-SOP

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート DMG4800LSD
RoHS情報 Diodes RoHS 3 Cert
PCN設計/仕様 Bond Wire 11/Nov/2011
PCNその他 Multiple Device Changes 29/Apr/2013
HTMLデータシート DMG4800LSD
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Diodes Incorporated
シリーズ -
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ 2 Nチャンネル(デュアル)
FET機能 論理レベルゲート
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 7.5A
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 16ミリオーム @ 9A、10V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1.6V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 8.56nC @ 5V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 798pF @ 10V
電力 - 最大 1.17W
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOP
ベース品番 DMG4800
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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