DMG1012UW-7 N-Channel 20V 1A (Ta) 290mW(Ta) 面実装 SOT-323
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1 42.00000 ¥42
10 34.80000 ¥348
25 29.08000 ¥727
100 18.42000 ¥1,842
500 12.11400 ¥6,057
1,000 8.23700 ¥8,237

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DMG1012UW-7

データシート
Digi-Key品番 DMG1012UW-7DICT-ND
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仕入先

Diodes Incorporated

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メーカー品番 DMG1012UW-7
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商品概要 MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
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メーカーの標準リードタイム 52週間
商品概要の詳細

N-Channel 20V 1A (Ta) 290mW(Ta) 面実装 SOT-323

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客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート DMG1012UW
RoHS情報 Diodes RoHS 3 Cert
PCN設計/仕様 Bond Wire 3/May/2011
PCNアセンブリ/原産地 Mult Dev Site Add 1/Jul/2020
PCNその他 Multiple Device Changes 29/Apr/2013
HTMLデータシート DMG1012UW
EDA/CADモデル DMG1012UW-7 by Ultra Librarian
DMG1012UW-7 by SnapEDA
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Diodes Incorporated
シリーズ -
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 20V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 1A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 1.8V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On(最大) 450ミリオーム @ 600mA、4.5V
Id印加時のVgs(th)(最大) 1V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) 0.74nC @ 4.5V
Vgs(最大) ±6V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 60.67pF @ 16V
FET機能 -
電力散逸(最大) 290mW(Ta)
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取り付けタイプ 面実装
サプライヤデバイスパッケージ SOT-323
パッケージ/ケース SC-70、SOT-323
ベース品番 DMG1012
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
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