JPY | USD

BAS116LPH4-7B ダイオード 標準 85V 215mA(DC) 面実装 X2-DFN1006-2
価格と調達
142,289 個在庫あり
即日出荷可能
 

数量

リストに追加

すべての価格はJPYです。
数量 単価 金額
1 45.00000 ¥45
10 36.80000 ¥368
100 19.52000 ¥1,952
500 12.84200 ¥6,421
1,000 8.73300 ¥8,733
2,000 7.87750 ¥15,755
5,000 6.84980 ¥34,249

表示よりも数量の多い 価格見積依頼を 提出

他の梱包形態
  • テープ&リール(TR)  : BAS116LPH4-7BDITR-ND
  • 最小発注数量: 10,000
  • 在庫数量: 120,000 - 即時
  • 単価: ¥5.82230

BAS116LPH4-7B

データシート
Digi-Key品番 BAS116LPH4-7BDICT-ND
コピー  
仕入先

Diodes Incorporated

コピー  
メーカー品番 BAS116LPH4-7B
コピー  
商品概要 DIODE GEN PURP 85V 215MA 2DFN
コピー  
メーカーの標準リードタイム 14週間
商品概要の詳細

ダイオード 標準 85V 215mA(DC) 面実装 X2-DFN1006-2

コピー  
客先参照品番(任意)
ドキュメントとメディア
データシート BAS116LPH4
RoHS情報 Diodes RoHS 3 Cert
PCNアセンブリ/原産地 Assembly Site 16/Oct/2020
HTMLデータシート BAS116LPH4
製品属性
タイプ 商品概要 全てを削除
カテゴリ
仕入先 Diodes Incorporated
シリーズ -
パッケージング カット テープ(CT) 
部品状況 アクティブ
ダイオードタイプ 標準
電圧 - DC逆方向(Vr)(最大) 85V
電流 - 平均整流(Io) 215mA(DC)
電圧 - If印加時の順方向(Vf)(最大) 1.25V @ 150mA
速度 標準リカバリ >500ns、> 200mA(Io)
逆回復時間(trr) 3µs
電流 - Vr印加時の逆方向漏れ 5nA @ 75V
Vr、F印加時の静電容量 1.5pF @ 0V、1MHz
取り付けタイプ 面実装
パッケージ/ケース 0402(1006メートル法)
サプライヤデバイスパッケージ X2-DFN1006-2
動作温度 - ジャンクション -55°C~150°C
ベース品番 BAS116
 
環境および輸出に関する分類
RoHS ステータス ROHS3対応
湿度感度レベル(MSL) 1(無制限)
また次もご覧下さい

M50-3600542

CONN HEADER SMD 10POS 1.27MM

Harwin Inc.

¥153.00000 詳細

DMG1012T-7

MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523

Diodes Incorporated

¥38.00000 詳細

1909763-1

CONN UMCC JACK STR 50OHM SMD

TE Connectivity AMP Connectors

¥54.00000 詳細

SI8800EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT

Vishay Siliconix

¥58.00000 詳細

74HCT1G00GW,125

IC GATE NAND 1CH 2-INP 5TSSOP

Nexperia USA Inc.

¥49.00000 詳細

LM3489MMX/NOPB

IC REG CTRLR BUCK 8VSSOP

Texas Instruments

¥194.00000 詳細
その他のリソース
基準パッケージ 1
その他の製品名/品番 BAS116LPH4-7BDICT