SQ2389 Vishay Siliconix - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
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SQ2389ES-T1_BE3 - Vishay Siliconix 742-SQ2389ES-T1_BE3TR-ND
SQ2389ES-T1_BE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3 0 有り: 0 ¥30.78433 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 4.1A(Tc) 4.5V、10V 94ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 420pF @ 20V
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3W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
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SQ2389ES-T1_BE3 - Vishay Siliconix 742-SQ2389ES-T1_BE3CT-ND
SQ2389ES-T1_BE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3 874 - 即時 有り: 874 ¥77.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 4.1A(Tc) 4.5V、10V 94ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 420pF @ 20V
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3W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
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SQ2389ES-T1_BE3 - Vishay Siliconix 742-SQ2389ES-T1_BE3DKR-ND
SQ2389ES-T1_BE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3 874 - 即時 有り: 874 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 4.1A(Tc) 4.5V、10V 94ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 420pF @ 20V
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3W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SQ2389ES-T1_GE3 Datasheet SQ2389ES-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQ2389ES-T1_GE3TR-ND SQ2389ES-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3 0 有り: 0 ¥30.78433 3,000 Minimum: 3,000 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 4.1A(Tc) 4.5V、10V 94ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 420pF @ 20V
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3W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SQ2389ES-T1_GE3 Datasheet SQ2389ES-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQ2389ES-T1_GE3CT-ND SQ2389ES-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3 0 有り: 0 ¥77.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 4.1A(Tc) 4.5V、10V 94ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 420pF @ 20V
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3W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
SQ2389ES-T1_GE3 Datasheet SQ2389ES-T1_GE3 - Vishay Siliconix SQ2389ES-T1_GE3DKR-ND SQ2389ES-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3 0 有り: 0 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 40V 4.1A(Tc) 4.5V、10V 94ミリオーム @ 10A、10V 2.5V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 420pF @ 20V
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3W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 面実装 SOT-23-3(TO-236) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
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