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SI4946 Vishay Siliconix - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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FET機能
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電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
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Id、Vgs印加時のRds On(最大)
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Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
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Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
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電力 - 最大
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JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ FET機能 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 動作温度 取り付けタイプ パッケージ/ケース サプライヤデバイスパッケージ
   
SI4946BEY-T1-E3 Datasheet SI4946BEY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4946BEY-T1-E3TR-ND SI4946BEY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC 12,500 - 即時 有り: 12,500 ¥57.98600 2,500 Minimum: 2,500 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 60V 6.5A 41ミリオーム @ 5.3A、10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V 840pF @ 30V 3.7W -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SO
SI4946BEY-T1-E3 Datasheet SI4946BEY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4946BEY-T1-E3CT-ND SI4946BEY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC 13,322 - 即時 有り: 13,322 ¥134.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 60V 6.5A 41ミリオーム @ 5.3A、10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V 840pF @ 30V 3.7W -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SO
SI4946BEY-T1-E3 Datasheet SI4946BEY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4946BEY-T1-E3DKR-ND SI4946BEY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC 13,322 - 即時 有り: 13,322 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 60V 6.5A 41ミリオーム @ 5.3A、10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V 840pF @ 30V 3.7W -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SO
SI4946BEY-T1-GE3 Datasheet SI4946BEY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4946BEY-T1-GE3TR-ND SI4946BEY-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC 5,000 - 即時 有り: 5,000 ¥57.98600 2,500 Minimum: 2,500 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 60V 6.5A 41ミリオーム @ 5.3A、10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V 840pF @ 30V 3.7W -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SO
SI4946BEY-T1-GE3 Datasheet SI4946BEY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4946BEY-T1-GE3CT-ND SI4946BEY-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC 5,300 - 即時 有り: 5,300 ¥134.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 60V 6.5A 41ミリオーム @ 5.3A、10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V 840pF @ 30V 3.7W -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SO
SI4946BEY-T1-GE3 Datasheet SI4946BEY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4946BEY-T1-GE3DKR-ND SI4946BEY-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC 5,300 - 即時 有り: 5,300 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 論理レベルゲート 60V 6.5A 41ミリオーム @ 5.3A、10V 3V @ 250µA 25nC @ 10V 840pF @ 30V 3.7W -55°C~175°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SO
SI4946CDY-T1-GE3 Datasheet SI4946CDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4946CDY-T1-GE3TR-ND SI4946CDY-T1-GE3 MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8 0 有り: 0
標準リードタイム14週間
¥41.96560 2,500 Minimum: 2,500 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 標準 60V 5.2A(Ta)、6.1A(Tc) 40.9ミリオーム @ 5.2A、10V 3V @ 250µA 10nC @ 10V 350pF @ 30V 2W(Ta)、2.8W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SO
SI4946CDY-T1-GE3 Datasheet SI4946CDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4946CDY-T1-GE3CT-ND SI4946CDY-T1-GE3 MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8 505 - 即時 有り: 505 ¥105.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 標準 60V 5.2A(Ta)、6.1A(Tc) 40.9ミリオーム @ 5.2A、10V 3V @ 250µA 10nC @ 10V 350pF @ 30V 2W(Ta)、2.8W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SO
SI4946CDY-T1-GE3 Datasheet SI4946CDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4946CDY-T1-GE3DKR-ND SI4946CDY-T1-GE3 MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8 505 - 即時 有り: 505 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ 2 Nチャンネル(デュアル) 標準 60V 5.2A(Ta)、6.1A(Tc) 40.9ミリオーム @ 5.2A、10V 3V @ 250µA 10nC @ 10V 350pF @ 30V 2W(Ta)、2.8W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SO
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18:14:27 7/13/2020