SI4590 Vishay Siliconix - トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
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JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ FET機能 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) 電力 - 最大 動作温度 取り付けタイプ パッケージ/ケース サプライヤデバイスパッケージ
   
SI4590DY-T1-GE3 Datasheet SI4590DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4590DY-T1-GE3TR-ND SI4590DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL 2,227 - 即時 有り: 2,227 ¥47.03160 2,500 Minimum: 2,500 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ NおよびPチャンネル
-
100V 3.4A、2.8A 57ミリオーム @ 2A、10V 2.5V @ 250µA 11.5nC @ 10V 360pF @ 50V 2.4W、3.4W -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SOIC
SI4590DY-T1-GE3 Datasheet SI4590DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4590DY-T1-GE3CT-ND SI4590DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL 2,227 - 即時 有り: 2,227 ¥118.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ NおよびPチャンネル
-
100V 3.4A、2.8A 57ミリオーム @ 2A、10V 2.5V @ 250µA 11.5nC @ 10V 360pF @ 50V 2.4W、3.4W -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SOIC
SI4590DY-T1-GE3 Datasheet SI4590DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4590DY-T1-GE3DKR-ND SI4590DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL 2,227 - 即時 有り: 2,227 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ NおよびPチャンネル
-
100V 3.4A、2.8A 57ミリオーム @ 2A、10V 2.5V @ 250µA 11.5nC @ 10V 360pF @ 50V 2.4W、3.4W -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅) 8-SOIC
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