SI4488 Vishay Siliconix - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
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JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
SI4488DY-T1-GE3 Datasheet SI4488DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4488DY-T1-GE3TR-ND SI4488DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO 0 有り: 0 ¥122.20480 2,500 Minimum: 2,500 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 3.5A(Ta) 10V 50ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA(最小) 36nC @ 10V ±20V
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1.56W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
SI4488DY-T1-GE3 Datasheet SI4488DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4488DY-T1-GE3CT-ND SI4488DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO 407 - 即時 有り: 407 ¥240.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 3.5A(Ta) 10V 50ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA(最小) 36nC @ 10V ±20V
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1.56W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
SI4488DY-T1-GE3 Datasheet SI4488DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI4488DY-T1-GE3DKR-ND SI4488DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO 407 - 即時 有り: 407 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 3.5A(Ta) 10V 50ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA(最小) 36nC @ 10V ±20V
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1.56W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
SI4488DY-T1-E3 Datasheet SI4488DY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4488DY-T1-E3TR-ND SI4488DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO 0 有り: 0 ¥128.32680 2,500 Minimum: 2,500 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 3.5A(Ta) 10V 50ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA(最小) 36nC @ 10V ±20V
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1.56W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
SI4488DY-T1-E3 Datasheet SI4488DY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4488DY-T1-E3CT-ND SI4488DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO 740 - 即時 有り: 740 ¥252.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 3.5A(Ta) 10V 50ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA(最小) 36nC @ 10V ±20V
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1.56W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
SI4488DY-T1-E3 Datasheet SI4488DY-T1-E3 - Vishay Siliconix SI4488DY-T1-E3DKR-ND SI4488DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 3.5A 8SO 740 - 即時 有り: 740 Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
TrenchFET® アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 150V 3.5A(Ta) 10V 50ミリオーム @ 5A、10V 2V @ 250µA(最小) 36nC @ 10V ±20V
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1.56W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-SOIC 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
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