IRFIBC30 Vishay Siliconix - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
単価
JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
IRFIBC30GPBF Datasheet IRFIBC30GPBF - Vishay Siliconix IRFIBC30GPBF-ND IRFIBC30GPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3 1,550 - 即時 有り: 1,550 ¥357.00000 1 Minimum: 1 チューブ
-
アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600V 2.5A(Tc) 10V 2.2オーム @ 1.5A、10V 4V @ 250µA 31nC @ 10V ±20V 660pF @ 25V
-
35W(Tc) -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220-3 TO-220-3フルパック、絶縁タブ
IRFIBC30G Datasheet IRFIBC30G - Vishay Siliconix IRFIBC30G-ND IRFIBC30G Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3 0 有り: 0
生産中止品
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チューブ
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生産中止品 Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 600V 2.5A(Tc) 10V 2.2オーム @ 1.5A、10V 4V @ 250µA 31nC @ 10V ±20V 660pF @ 25V
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35W(Tc) -55°C~150°C(TJ) スルーホール TO-220-3 TO-220-3フルパック、絶縁タブ
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08:00:49 9/23/2021