IRF9Z10 Vishay Siliconix - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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部品を比較 Datasheets 写真 Digi-Key品番 メーカー品番 仕入先 商品概要 在庫数量
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JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
IRF9Z10PBF-BE3 Datasheet IRF9Z10PBF-BE3 - Vishay Siliconix 742-IRF9Z10PBF-BE3-ND
IRF9Z10PBF-BE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB 983 - 即時 有り: 983 ¥200.00000 1 Minimum: 1 チューブ
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アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 6.7A(Tc)
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500ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 270pF @ 25V
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43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB TO-220-3
IRF9Z10PBF Datasheet IRF9Z10PBF - Vishay Siliconix IRF9Z10PBF-ND IRF9Z10PBF Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB 0 有り: 0 ¥200.00000 1 Minimum: 1 チューブ
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アクティブ Pチャンネル MOSFET(金属酸化物) 60V 6.7A(Tc) 10V 500ミリオーム @ 4A、10V 4V @ 250µA 12nC @ 10V ±20V 270pF @ 25V
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43W(Tc) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220AB TO-220-3
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00:35:21 9/19/2021