CSD19531 Texas Instruments - トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

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電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
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JPY
最小発注数量 パッケージング シリーズ 部品状況 FETタイプ 技術 ドレイン~ソース間電圧(Vdss) 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) Id、Vgs印加時のRds On(最大) Id印加時のVgs(th)(最大) Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) Vgs(最大) Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) FET機能 電力散逸(最大) 動作温度 取り付けタイプ サプライヤデバイスパッケージ パッケージ/ケース
   
CSD19531KCS Datasheet CSD19531KCS - Texas Instruments 296-37480-5-ND CSD19531KCS Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 183 - 即時 有り: 183 ¥276.00000 1 Minimum: 1 チューブ NexFET™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 100A(Ta) 6V、10V 7.7ミリオーム @ 60A、10V 3.3V @ 250µA 38nC @ 10V ±20V 3870pF @ 50V
-
214W(Tc) -55°C~175°C(TJ) スルーホール TO-220-3 TO-220-3
CSD19531Q5A Datasheet CSD19531Q5A - Texas Instruments 296-41232-2-ND CSD19531Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON 0 有り: 0
標準リードタイム35週間
¥125.94200 2,500 Minimum: 2,500 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
NexFET™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 100A(Tc) 6V、10V 6.4ミリオーム @ 16A、10V 3.3V @ 250µA 48nC @ 10V ±20V 3870pF @ 50V
-
3.3W(Ta)、125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD19531Q5A Datasheet CSD19531Q5A - Texas Instruments 296-41232-1-ND CSD19531Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON 0 有り: 0
標準リードタイム35週間
¥233.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
NexFET™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 100A(Tc) 6V、10V 6.4ミリオーム @ 16A、10V 3.3V @ 250µA 48nC @ 10V ±20V 3870pF @ 50V
-
3.3W(Ta)、125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD19531Q5A Datasheet CSD19531Q5A - Texas Instruments 296-41232-6-ND CSD19531Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON 0 有り: 0
標準リードタイム35週間
Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
NexFET™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 100A(Tc) 6V、10V 6.4ミリオーム @ 16A、10V 3.3V @ 250µA 48nC @ 10V ±20V 3870pF @ 50V
-
3.3W(Ta)、125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD19531Q5AT Datasheet CSD19531Q5AT - Texas Instruments 296-37749-2-ND CSD19531Q5AT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON 0 有り: 0
標準リードタイム35週間
¥176.46800 250 Minimum: 250 テープ&リール(TR)
梱包形態の種類
NexFET™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 100A(Ta) 6V、10V 6.4ミリオーム @ 16A、10V 3.3V @ 250µA 48nC @ 10V ±20V 3870pF @ 50V
-
3.3W(Ta)、125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD19531Q5AT Datasheet CSD19531Q5AT - Texas Instruments 296-37749-1-ND CSD19531Q5AT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON 0 有り: 0
標準リードタイム35週間
¥260.00000 1 Minimum: 1 カット テープ(CT)
梱包形態の種類
NexFET™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 100A(Ta) 6V、10V 6.4ミリオーム @ 16A、10V 3.3V @ 250µA 48nC @ 10V ±20V 3870pF @ 50V
-
3.3W(Ta)、125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
CSD19531Q5AT Datasheet CSD19531Q5AT - Texas Instruments 296-37749-6-ND CSD19531Q5AT Texas Instruments MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON 0 有り: 0
標準リードタイム35週間
Digi-Reel® 1 Minimum: 1 Digi-Reel®
梱包形態の種類
NexFET™ アクティブ Nチャンネル MOSFET(金属酸化物) 100V 100A(Ta) 6V、10V 6.4ミリオーム @ 16A、10V 3.3V @ 250µA 48nC @ 10V ±20V 3870pF @ 50V
-
3.3W(Ta)、125W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 面実装 8-VSONP(5x6) 8-PowerTDFN
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14:05:48 9/26/2021